当前计算架构的演变、制造工艺的进步已经很难推动芯片计算速度的发展，各种新型应用带来的数据爆炸导致数据访问性能和计算性能的失衡不断增长，从而推动了许多新型随机存取存储器（RAM）技术的发展。比较典型的新型RAM技术包括磁阻RAM（MRAM）、电阻式RAM ...

PCRAM被业界誉为值得关注的三大新型存储器之一，很大程度上是因为被Intel的Optane SSD 和DIMM采用。但是3D Xpoint之外的PCRAM又怎么样呢？ 今年初，相变存储器(PCRAM)被吹捧为三大值得关注的新型存储器之一，很大程度上是因为被Intel的Optane SSD 和DIMM所采用。但是3D Xpoint ...

以MRAM、ReRAM和PCRAM为代表的新型存储器虽然能够带来独特的优势，但由于这些存储器均采用新型材料，制造工艺严苛，大规模量产的消息往往来自PPT。那么，有没有人能站出来终结这个时代？ 根据Objective Analysis和Coughlin Associates发表的最新年度报告《Emerging Memories ...

预计在接下来的十年中，两种新兴的非易失性存储器类型（PCM和MRAM）将在独立存储器中处于领先地位。 传统存储芯片到达技术节点 存储器产业如今形成了DRAM芯片、NADA Flash芯片、特殊存储器三个相对独立的市场。 然而，随着摩尔定律的延伸，技术需求也越来越 ...

新兴内存技术已经出现几十年了，但根据Objective Analysis和Coughlin Associates发表的最新年度报告《Emerging Memories Ramp Up》显示，新兴内存技术如今已经发展到一个在更多应用中表现更重要的关键期了。 该报告指出，随着新兴内存市场逐步取代当今效率较低的内存技术 ...

据了解，当今数据生产呈现爆炸式增长，传统的冯·诺依曼计算架构已成为未来继续提升计算系统性能的主要技术障碍。不久前，中国科学院上海微系统信息技术研究所，首次采用GNR边缘接触制备出目前世界上最小尺寸的相变存储单元器件。 而相变随机存取存储 ...

前言:实现硬件方面的复兴,才能充分挖掘人工智能时代的潜力。在性能、功耗和密度(面积/成本)方面得到显著改善的新兴存储 ...

近十多年来，科学界与工业界一直致力于发展第三类存储器技术，以期在同一单元中实现数据的快速读写及稳定存储，应对数据存储与处理方面的巨大压力。 编者按：本文来自微信公众号“半导体行业观察”（ID：icbank），作者 Alex Hou，36氪经授权发布。 近十多 ...

上海微系统所联合中芯国际集成电路制造（上海）有限公司开展相变存储器（PCRAM）的研究，在130纳米技术节点相变存储器技术方面取得重大突破。 今天，小编从中科院上海微系统与信息技术研究所的新闻发布会上获悉，上海微系统所联合中芯国际集成电路 ...

说到存储芯片，目前主要是指DRAM内存、NAND闪存及少部分NOR闪存，内存速度极快但成本贵，而且断电不能保存数据，NAND、NOR闪存可以保存数据，成本也廉价，不过性能、延迟是没法跟内存相比的。 在这些存储芯片之外，业界还在开发各种新一代芯片，比如MRAM ...

非易失性相变随机存取存储器（PCRAM）被认为是大数据时代新兴海量存储的有希望的候选者之一。然而，相对较高的编程能量阻碍了 PCRAM 中功耗的进一步降低。利用石墨烯的窄边接触可以有效降低每个电池中相变材料的活性体积，从而实现低功耗运行。

Phase-change random access memory (PCRAM) is one of the most promising nonvolatile memory devices. However, inability to secure consistent and reliable switching operations in nanometer-scale ...