通过在全新的1anm LPDDR5X DRAM中采用HKMG(High-k/Metal Gate)新技术，SK海力士发现即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士 ...
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用 ...
在早先的半导体产品中，业界一向采用二氧化硅作为晶体管栅的主要介质。比较显著的是在原先65nm制程中，英特尔已经成功的将以二氧化硅作为主要介质的晶体管栅压缩到了仅有5个原子厚的1.2nm。在人们被这种近乎奇迹的先进技术所折服的同时，英特尔本身也在 ...
In logic devices such as finFETs (field-effect transistors), metal gate parasitic capacitance can negatively impact electrical performance. One way to reduce this parasitic capacitance is to optimize ...
The IC industry is headed toward a new era of scaling–and uncertainty–as chip makers race to develop the key building blocks for the next-generation transistor: high-k dielectrics and metal gates.
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